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电机驱动mos,3010场效应管,to263封装,KCB3010A参数-KIA MOS管
KCB3010A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流120A，采用先进SGT技术制造，先进的双沟道技术降低导通损耗、提高开关性能，极低导通电阻RDS(开启) 4.0mΩ，高效低耗；具有快速切换、低栅极电荷、低反向传输电容、雪崩强度高，在各种应用中稳定可靠，适用于电机驱...www.kiaic.com/article/detail/5952.html 2025-09-30
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半桥驱动和全桥驱动原理图,工作原理-KIA MOS管
半桥驱动电路是指使用两个开关器件（通常是MOSFET或IGBT）来控制电机的正向和反向运动。其中一个开关器件被连接到电源正极，另一个器件被连接到电源负极，通过控制两个开关的状态来控制电流的流向，从而控制电机的运动方向。www.kiaic.com/article/detail/5951.html 2025-09-30
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to220,to220封装尺寸图,to220封装mos管引脚-KIA MOS管
to220是大功率晶体管、中小规模集成电路常采用的直插式封装形式，结构分为自带散热器的绝缘与非绝缘两种类型，可通过搭配专用散热器进一步提升散热效率 。该封装设计便于安装，适用于高电流、高电压的工业控制和电力系统领域。www.kiaic.com/article/detail/5950.html 2025-09-30
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200v130a场效应管,2920mos管,to247封装,KCM2920A参数-KIA MOS管
KCM2920A场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流130A，采用?SGT MOSFET工艺制造，新型沟槽技术，低导通电阻RDS(开启) 9.0mΩ，低栅极电荷，最小化开关损耗、提高效率；快速恢复体二极管，开关特性好、反向恢复时间短，稳定可靠，广泛应用于高频开关和同步整流、d...www.kiaic.com/article/detail/5949.html 2025-09-29
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光伏逆变器工作原理,光伏并网逆变器-KIA MOS管
光伏逆变器的作用是将太阳能电池板产生的直流电（DC）转换为交流电（AC），并满足电网或用电设备的电能需求。光伏逆变器的核心功能是“电能形式转换”+“电网 / 负载适配”，工作流程为以下阶段（并网逆变器为例）：www.kiaic.com/article/detail/5948.html 2025-09-29
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74ls48芯片引脚图,功能表,真值表详解-KIA MOS管
74ls48是一种BCD-7段译码器，用于将4位二进制代码转换为七段数字信号输出。7段是一种基于7个LED的小型设备，用于表示从0到9的单个数值。每个7段有七个输入引脚，用于点亮七个段中的单个LED。每次制作单个数字时，某些特定引脚应该有电源输入。www.kiaic.com/article/detail/5947.html 2025-09-29
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650v超结mos,650v mos管,acdc转换器,KCF6265A参数-KIA MOS管
超结MOS管KCF6265A采用KIA半导体先进的超级结技术制造，低导通电阻RDS(on) 0.33Ω，可以最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲；具有低栅极电荷、高坚固性、快速切换，高效低耗；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定...www.kiaic.com/article/detail/5946.html 2025-09-28
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肖特基势垒二极管SBD工作原理,应用-KIA MOS管
肖特基势垒二极管利用金属-半导体(M-S)接触特性制成，有点接触型和面结合型两种管芯结构。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（Si）或砷化镓（GaAs）。www.kiaic.com/article/detail/5945.html 2025-09-28
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正弦波逆变器原理,正弦波逆变器电路图-KIA MOS管
正弦波逆变器将直流电转换为与电网相似的标准正弦波交流电，广泛应用于太阳能、电动车充电和移动电源等领域。直流输入：逆变器接收来自直流电源（如蓄电池、太阳能电池）的电能。高频开关电路：通过功率半导体器件（如IGBT、MOSFET）组成的开关电路，将直流电转...www.kiaic.com/article/detail/5944.html 2025-09-28
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650v超结,11a650v,to263封装,KCB6265A参数-KIA MOS管
超结MOS管KCB6265A采用KIA半导体先进的超级结技术制造，低导通电阻RDS(on) 0.33Ω，可以最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲；具有低栅极电荷、高坚固性、快速切换，高效低耗；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定...www.kiaic.com/article/detail/5943.html 2025-09-26
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碳化硅mos管的基本结构,应用详解-KIA MOS管
碳化硅mos管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是第三代半导体材料电力电子器件，三个脚分别为栅极（G），漏极（D）和源极（S）。碳化硅MOS为电压型控制器件，具有耐高温，开关速度快，工作频率高等特点。www.kiaic.com/article/detail/5942.html 2025-09-26
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储能逆变器工作原理图文详解-KIA MOS管
储能逆变器是一种将直流电转化为交流电，并能够将电能储存于电池中的设备。储能逆变器在应对电网电力波动和提高电力系统供电质量方面具有非常重要的作用。它可以控制电池与电网之间的输电功率，并且在电网短暂掉电时保证负载的持续供电。储能逆变器不仅具备并网...www.kiaic.com/article/detail/5941.html 2025-09-26
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2908场效应管,2908mos管参数,to263封装,KCB2908A-KIA MOS管
KCB2908A场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流130A，采用先进的SGT技术设计，极低导通电阻RDS(on) 3.7mΩ，出色的栅极电荷，可最大限度地减少导电损失，减少开关损耗；具有高坚固性、快速切换，提高效率；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，性能稳定可靠；广泛应用...www.kiaic.com/article/detail/5940.html 2025-09-25
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高电平转低电平方法,高电平转低电平电路-KIA MOS管
当S1A为低电平的时候，MOS管Q3导通，S1A与S2A导通，S2A端被拉低到0V，实现两端都为低电平。当S1A为高电平的时候，MOS管Q3关断，S2A端由上拉电阻（上图中的 R28）拉高成高电平，实现两端都被高电平。www.kiaic.com/article/detail/5939.html 2025-09-25